制造商:NXP

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:32 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:8.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:90 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:32 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:190 ns

典型接通延迟时间:65 ns

零件号别名:/T3 PSMN006-20K