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PMN80XP,115 /MOSFET 20V Single P-channel Trench MOSFET
PMN80XP,115的规格信息
PMN80XP,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:7.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:925 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:15 S

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:6 ns

供应商PMN80XP,115
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