FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.1A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1000pF @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：530mW（Ta），6.25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
封装形式Package：TSOP
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：4.1A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs