FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：294pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：530mW（Ta）, 4.46W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：38 毫欧 @ 4.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

无铅情况/RoHs：否