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PMN35EN,115 /Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN35EN,115, 5.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
PMN35EN,115的规格信息
PMN35EN,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：5.1 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：31 m0hms

最大栅阈值电压：2.5V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TSOP

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：6

通道模式：增强

最大功率耗散：4.17 W

典型栅极电荷@Vgs：6.2 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：334 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：53 ns

典型接通延迟时间：4 ns

晶体管材料：Si

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：1.7mm

最高工作温度：+150 °C

长度：3.1mm

高度：1mm

尺寸：3.1 x 1.7 x 1mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商PMN35EN,115
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