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PMN27UP,115-NXP /MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
PMN27UP,115-NXP的规格信息
PMN27UP,115-NXP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTrenchMOS™

PackageBulk

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2340 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)540mW (Ta), 6.25W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package6-TSOP

Package / CaseSC-74, SOT-457

供应商PMN27UP,115-NXP
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