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PMD10K100 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3-2

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:20 A

增益带宽产品fT:4 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

系列:PMD10K100

直流电流增益 hFE 最大值:20000

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:12 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000

Pd-功率耗散:150 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

零件号别名:PBFREE PMD10K100

供应商PMD10K100
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