FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：590mA（Ta），410mA（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V

功率 - 最大值：285mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：DFN1010B-6

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs