制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1010B-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:600 mA, 500 mA

Rds On-漏源导通电阻:470 mOhms, 1.02 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV, 950 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:700 pC, 2.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:380 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1 S, 480 mS

下降时间:51 ns, 6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.2 ns, 5 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间:5.6 ns, 2.3 ns

单位重量:1.200 mg