FET类型：2 个 N 沟道（双）
漏源电压（Vdss）：25V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：24mA @ 10V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：2V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：5pF @ 10V
电阻-RDS（开）：50 欧姆
功率-最大值：190mW
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：25V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：24mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：50 Ohms
功率 - 最大值：190mW
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-TSSOP
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs