FET类型：N 沟道

漏源电压（Vdss）：25V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：10mA @ 15V

不同Id时的电压-截止（VGS关）：4V @ 1µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：30pF @ 10V（VGS）

电阻-RDS（开）：18 欧姆

功率-最大值：250mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23（TO-236AB）

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：25V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：10mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：30pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：18 Ohms

功率 - 最大值：250mW

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs