FET类型：N 沟道
漏源电压（Vdss）：40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：50mA @ 20V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：4V @ 1nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 20V
电阻-RDS（开）：30 欧姆
功率-最大值：250mW
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23（TO-236AB）
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：50mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 20V
电阻 - RDS（开）：30 Ohms
功率 - 最大值：250mW
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs