PJT7800_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:双N沟道
PJT7800_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻150mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型双N沟道
PJT7800_R1_00001
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PJT7800_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:双N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 437.40 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJT7800_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:双N沟道 | 5+:¥0.725799 50+:¥0.543871 150+:¥0.510456 500+:¥0.477041 2500+:¥0.46219 5000+:¥0.454852
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