PJT138K_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道
PJT138K_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)360mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)236mW
类型双N沟道
PJT138K_R1_00001
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PJT138K_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 473.41 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJT138K_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道 | 10+:¥0.215266 100+:¥0.159211 300+:¥0.148915 1000+:¥0.138619 5000+:¥0.134044 10000+:¥0.131783
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