PJT7600_R1_00001的供应商，PJT7600_R1_00001规格参数，PJT7600_R1

PJT7600_R1_00001 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A,700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 300mA,1.8V;600mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道和P沟道

PJT7600_R1_00001的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）1A,700mA

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻400mΩ @ 300mA,1.8V;600mΩ @ 500mA,1.8V

最大功率耗散（Ta=25°C）350mW

类型N沟道和P沟道

PJT7600_R1_00001

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	PJT7600_R1_00001	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市博浩通科技有限公司	PJT7600_R1_00001	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	PJT7600_R1_00001	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	PJT7600_R1_00001	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

PJT7600_R1_00001及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
PJT7600_R1_00001	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET . ESD Protected	PANJIT[Pan Jit International Inc.]		489.62 Kbytes	共9页		无

PJT7600_R1_00001的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Rutronik	PJT7600_R1_00001	PanJit Touch Screens	N+P FET+ESD 20V 1A/0,7A SOT363 RoHSconf	6,000 : $0.0641 15,000 : $0.0604
立创商城	PJT7600_R1_00001	PANJIT(强茂)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A,700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 300mA,1.8V;600mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道和P沟道	5+:￥0.494707 50+:￥0.36186 150+:￥0.337459 500+:￥0.313059 2500+:￥0.302214 5000+:￥0.296856

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