PJE8402_R1_00001的供应商，PJE8402_R1_00001规格参数，PJE8402_R1

PJE8402_R1_00001 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道

PJE8402_R1_00001的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）700mA

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻150mΩ @ 700mA,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）300mW

类型N沟道

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深圳市芯幂科技有限公司	PJE8402_R1_00001	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	PJE8402_R1_00001	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司	PJE8402_R1_00001	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	PJE8402_R1_00001	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价

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PJE8402_R1_00001	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道	PANJIT(强茂)		419.62 Kbytes	共6页		无

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