PJC7407_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道
PJC7407_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.3A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻200mΩ @ 500mA,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型P沟道
PJC7407_R1_00001
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PJC7407_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 | PANJIT(强茂) |  | 263.63 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJC7407_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 | 10+:¥0.318591 100+:¥0.239023 300+:¥0.224408 1000+:¥0.209794 5000+:¥0.203298 10000+:¥0.200089
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