PJC138K_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:N沟道
PJC138K_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)360mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)236mW
类型N沟道
PJC138K_R1_00001
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PJC138K_R1_00001 | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET . ESD Protected | PANJIT[Pan Jit International Inc.] | ![PANJIT[Pan Jit International Inc.]的LOGO](/PdfSupLogo/114PANJIT.GIF) | 316.2 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJC138K_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.192944 200+:¥0.145233 600+:¥0.13647 2000+:¥0.127707 10000+:¥0.123812 20000+:¥0.121887
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