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PHKD6N02LT,518 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PHKD6N02LT,518的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.9A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 3A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 10V

功率 - 最大值:4.17W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:934056831518PHKD6N02LT /T3PHKD6N02LT /T3-ND

供应商PHKD6N02LT,518
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深圳市芯幂科技有限公司PHKD6N02LT,518深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司PHKD6N02LT,518深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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PHKD6N02LT,518连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 3A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.17W 类型:双N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO290.22 Kbytes共14页PHKD6N02LT,518的PDF下载地址
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PHKD6N02LT,518NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品10000+:¥2.361+:¥5.1
10+:¥4.07
100+:¥3.1601
500+:¥2.79
1000+:¥2.72
2500+:¥2.5001
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PHKD6N02LT,518Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1Obsolete
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Mouser 贸泽电子
PHKD6N02LT,518NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品10000+:¥2.361+:¥5.1
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RS(欧时)
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