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PHK31NQ03LT,518 /MOSFET MOSFET N-CH 30V 30.4A
PHK31NQ03LT,518的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:30.4 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4 mm

商标:Nexperia

下降时间:26 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:37 ns

单位重量:506.600 mg

供应商PHK31NQ03LT,518
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