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PHKD3NQ10T,518 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PHKD3NQ10T,518的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 1.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):633pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:934055906518

供应商PHKD3NQ10T,518
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PHKD3NQ10T,518NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品10000+:¥3.9510000+:¥4.091+:¥5.22
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