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PHE13003C,126 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W
PHE13003C,126的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

发射极 - 基极电压 VEBO:9 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

最大直流电集电极电流:1.5 A

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:25

商标:WeEn Semiconductors

直流集电极/Base Gain hfe Min:5

Pd-功率耗散:2.1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:10000

子类别:Transistors

零件号别名:934063922126

单位重量:453.600 mg

供应商PHE13003C,126
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