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PHD9NQ20T,118 /MOSFET TAPE13 PWR-MOS
PHD9NQ20T,118的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:44 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:88 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Nexperia

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:/T3 PHD9NQ20T

单位重量:4 g

供应商PHD9NQ20T,118
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深圳市辉华拓展电子有限公司PHD9NQ20T,118深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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