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PHE13003A,412 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR DIFF 700V 1A
PHE13003A,412的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

发射极 - 基极电压 VEBO:9 V

集电极—射极饱和电压:0.4 V

最大直流电集电极电流:1 A

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:30

商标:WeEn Semiconductors

直流集电极/Base Gain hfe Min:5

Pd-功率耗散:2.1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:5000

子类别:Transistors

零件号别名:934063927412

单位重量:217 mg

供应商PHE13003A,412
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PHE13003A,412的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		PHE13003A,412NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品5000+:￥0.541+:￥3.0099
10+:￥1.71
100+:￥0.74
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立创商城		PHE13003A,412WeEn(瑞能)集电极电流Ic：1A 额定功率：2.1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V5+:￥0.57456
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