图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:STMicroelectronics
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:8 A
Vds-漏源极击穿电压:40 V
增益:14.5 dB
输出功率:35 W
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:M243
封装:Bulk
配置:Single
高度:4.45 mm (Max)
长度:9.4 mm (Max)
工作频率:1 GHz
系列:PD85035C
类型:RF Power MOSFET
宽度:6.1 mm (Max)
商标:STMicroelectronics
通道模式:Enhancement
Pd-功率耗散:108 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:15 V