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PD85006L-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
PD85006L-E的规格信息
PD85006L-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:15 dB

输出功率:6 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT (5x5)

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1 GHz

系列:PD85006L-E

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:20.8 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

单位重量:3 g

供应商PD85006L-E
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PD85006L-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 2A 14-Pin Power Flat T/R
RoHS : Compliant
500 : $5.496
1,000 : $4.856
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PD85006L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥71.49
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Digi-Key 得捷电子
PD85006L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥71.49
10+:¥64.29
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Mouser 贸泽电子
PD85006L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥71.49
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25+:¥58.47
100+:¥52.93
250+:¥48.4899
500+:¥44.34
1000+:¥38.513000+:¥35.84
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Mouser 贸泽电子
PD85006L-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
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Verical
PD85006L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥71.49
10+:¥64.29
25+:¥58.47
100+:¥52.93
250+:¥48.4899
500+:¥44.34
1000+:¥38.513000+:¥35.841+:¥38.631+:¥40.21