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PD85025-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
PD85025-E的规格信息
PD85025-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:15.7 dB

输出功率:25 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:9.4 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD85025-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:7.5 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:79 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

单位重量:3 g

供应商PD85025-E
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PD85025-ERF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO361.05 Kbytes共15页PD85025-E的PDF下载地址
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Richardson RFPD
PD85025-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $22.48