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NTMSD3P303R2 /FETKY? P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package
NTMSD3P303R2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压- 30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流- 3.05 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.085 Ohms

配置Single Dual Drain

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间16 ns, 45 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)5 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散2 W

上升时间42 ns, 16 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间32 ns, 45 ns

供应商NTMSD3P303R2
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTMSD3P303R2G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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