FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.95A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1900pF @ 16V

Vgs（最大值）：±10V

功率耗散（最大值）：790mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：33 毫欧 @ 5.4A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：7.05A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1900pF @ 16V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 5.4A，4.5V

FET 类型：P 沟道

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250µA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs