制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.3 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.74 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.87 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:NTLGD3502N

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3 mm

商标:ON Semiconductor

下降时间:17.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.6 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:21.100 mg