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NST857BDP6T5G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP GP TRANS SOT-963
NST857BDP6T5G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-963-6

晶体管极性:PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NST857BDP6

直流电流增益 hFE 最大值:220 at 2 mA, 5 V

高度:0.37 mm

长度:1 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:0.8 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:220 at 2 mA, 5 V

Pd-功率耗散:420 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

供应商NST857BDP6T5G
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NST857BDP6T5GON SemiconductorNST857BDP6T5G, SOT-963 DUAL PNP GP TRANS2,000 : $0.0557
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NST857BDP6T5GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-9638000+:¥0.50011+:¥2.78
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NST857BDP6T5GON SemiconductorTRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963$0.45000
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NST857BDP6T5GON SemiconductorTRANS 2PNP 45V 0.1A SOT9638,000 : $0.0684
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NST857BDP6T5GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:350mW 晶体管类型:2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce:45V5+:¥0.333138
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