电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2mA，5V

功率-最大值：290mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1123

封装形式Package：SOT-1123-3

极性Polarity：NPN

集电极最大允许电流Ic：0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：30V

电流放大倍数最小值hFE_Min：200

电流放大倍数最大值hFE_Max：450

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

200 at 2 mA at 5 V：直流电最大增益hFE

系列：NST848BF3T5G

品牌：ON Semiconductor

最大功率消耗：347 mW

最低工作温度：- 55 C

标准包装数量：8000

RoHS：符合 RoHS

配置：Single

晶体管极性：NPN

集电极-基极电压VCBO：30 V

发射机-基极电压VEBO：5 V

集电极最大直流电流：0.1 A

100 MHz：增益带宽积 fT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs