制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-963-6

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NST847BPDP6T5G

直流电流增益 hFE 最大值:200 at 2 mA, 5 V

高度:0.37 mm

长度:1 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:0.8 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP

Pd-功率耗散:420 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

单位重量:1.190 mg