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NSS40302PDR2G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
NSS40302PDR2G的规格信息
NSS40302PDR2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS40302PD

直流电流增益 hFE 最大值:200 at 10 mA, 2 V

高度:1.5 mm

长度:5 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:4 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Pd-功率耗散:783 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:143 mg

供应商NSS40302PDR2G
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现代芯城(深圳)科技有限公司NSS40302PDR2Gwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市斌腾达科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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18938047708/18938048779
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深圳市毅创腾电子科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城NSS40302PDR2G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城NSS40302PDR2G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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芯莱德电子(香港)有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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13352985419
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深圳市仓实科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司NSS40302PDR2G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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Allied Electronics
NSS40302PDR2GON SemiconductorON Semi NSS40302PDR2G Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V; 8-Pin SOIC+50:$0.46
+100:$0.45
+250:$0.43
+500:$0.42
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Allied Electronics
NSS40302PDR2GON SemiconductorNSS40302PDR2G, COMP 40V NPN-PNP LO VCE1,000 : $0.2463
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NSS40302PDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A1+:¥5.6701
10+:¥4.9901
25+:¥4.4
100+:¥3.8401
250+:¥3.34
500+:¥2.85
1000+:¥2.281+:¥4.41
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25000+:¥1.79
50000+:¥1.76
100000+:¥1.731+:¥2.17
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NSS40302PDR2GON SemiconductorCOMP 40V NPN/PNP LO VCE2,500 : $0.3167
10,000 : $0.2924
22,500 : $0.2715
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NSS40302PDR2GON SemiconductorTRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC$0.84000
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Digi-Key 得捷电子
NSS40302PDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A1+:¥5.6701
10+:¥4.9901
25+:¥4.4
100+:¥3.8401
250+:¥3.34
500+:¥2.85
1000+:¥2.28
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NSS40302PDR2GON SemiconductorTRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC10 : $0.646
1 : $0.74
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NSS40302PDR2GON SemiconductorCOMP 40V NPN/PNP LO VCE
RoHS : Compliant
2,500 : $0.3
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Mouser 贸泽电子
NSS40302PDR2GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
2,500:¥2.0001
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Mouser 贸泽电子
NSS40302PDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A1+:¥5.6701
10+:¥4.9901
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Rochester
NSS40302PDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A1+:¥5.6701
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100000+:¥1.731+:¥2.171+:¥1.72
25+:¥1.7
50+:¥1.68
100+:¥1.6701
300+:¥1.64
500+:¥1.62
1000+:¥1.6
5000+:¥1.6
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Rochester Electronics
NSS40302PDR2GON SemiconductorN/A500 : $0.28
1,000 : $0.26
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Wuhan P&S
NSS40302PDR2GON SemiconductorComplementary 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) Transistor1 : $0.5
100 : $0.38
1,000 : $0.33
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立创商城
NSS40302PDR2GON(安森美)集电极电流Ic:3A 额定功率:653mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:40V1+:¥5.08
10+:¥4.94
30+:¥4.85
100+:¥4.76