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NSS20501UW3TBG /ON Semiconductor/分立半导体产品
NSS20501UW3TBG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：125mV @ 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2A，2V

功率 - 最大值：875mW

频率 - 跃迁：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-WDFN

供应商器件封装：3-WDFN（2x2）

供应商NSS20501UW3TBG
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