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NSS40300DDR2G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
NSS40300DDR2G的规格信息
NSS40300DDR2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

晶体管极性:PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

集电极—基极电压 VCBO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V

集电极—射极饱和电压:0.135 V

最大直流电集电极电流:- 6 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS40300DD

直流电流增益 hFE 最大值:250 at 10 mA, 2 V

高度:1.5 mm

长度:5 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:4 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:- 3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:250

Pd-功率耗散:783 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:143 mg

供应商NSS40300DDR2G
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深圳市万政电子有限公司NSS40300DDR2G深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
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深圳市芯幂科技有限公司NSS40300DDR2G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市芯泽盛世科技有限公司NSS40300DDR2G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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芯莱德电子(香港)有限公司NSS40300DDR2G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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NSS40300DDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品2500+:¥21+:¥4.41
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NSS40300DDR2GON SemiconductorTRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC$0.84000
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NSS40300DDR2GON SemiconductorTRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC2,500 : $0.2755
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
NSS40300DDR2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品2500+:¥21+:¥4.41
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Rochester Electronics
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NSS40300DDR2GON SemiconductorDual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor1 : $0.5
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NSS40300DDR2GON(安森美)预售新品1+:¥4.48
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