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NSS1C200MZ4T3G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIP POWER TRAN SOT223
NSS1C200MZ4T3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

最大直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:120 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS1C200

直流电流增益 hFE 最大值:150

高度:1.57 mm

长度:6.5 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:2000 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:4000

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

供应商NSS1C200MZ4T3G
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司NSS1C200MZ4T3G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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NSS1C200MZ4T3G100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO110.58 Kbytes共5页NSS1C200MZ4T3G的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
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Rochester Electronics
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