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NSS1C200LT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
NSS1C200LT1G的规格信息
NSS1C200LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

最大直流电集电极电流:2 A

增益带宽产品fT:120 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS1C200L

直流电流增益 hFE 最大值:150

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:710 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商NSS1C200LT1G
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深圳市芯幂科技有限公司NSS1C200LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城(深圳)科技有限公司NSS1C200LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司NSS1C200LT1G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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NSS1C200LT1G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO72.7 Kbytes共5页NSS1C200LT1G的PDF下载地址PBSS306PZ,PBSS9110X,NSS30070MR6T1G,NSS40600CF8T1G_07,PBSS305PZ,ZXTP03200BG,NSS40200LT1G,ZXTP03200BZ,PBSS5220T,NSS40200UW6T1G
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NSS1C200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP3000+:¥1.03
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Arrow(艾睿)
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Digi-Key 得捷电子
NSS1C200LT1GON SemiconductorTRANS PNP 100V 2A SOT-23$0.51000
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
NSS1C200LT1GON SemiconductorTRANS PNP 100V 2A SOT-2310 : $0.384
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Future Electronics
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RoHS : Compliant
3,000 : $0.1027
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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NSS1C200LT1GON Semiconductor100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor1 : $0.25
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NSS1C200LT1GON(安森美)集电极电流Ic:2A 额定功率:490mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:100V1+:¥1.2636
10+:¥0.9422
30+:¥0.8832
100+:¥0.8241
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