制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:100 A

Pd-功率耗散:349 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:30

子类别:IGBTs

单位重量:4.083 g