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NE68939-T1-A /NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装3,000

类别分离式半导体产品

家庭RF 晶体管 (BJT)

系列-

晶体管类型NPN

电压 - 集电极发射极击穿(最大)6V

频率 - 转换-

噪声系数(dB典型值@频率)-

增益6.5dB ~ 8dB

功率 - 最大200mW

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 100mA,3.6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-253-4,TO-253AA

供应商设备封装SOT-143

包装带卷 (TR)

供应商NE68939-T1-A
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深圳市坤融电子有限公司NE68939-T1-A航都大厦10I0755-23990975
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