FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A，2.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 1A，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：525pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs