标准包装：2,500
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.3A，4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：720pF @ 15V
功率 - 最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
其它名称：NDS8958TR