FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：760pF @ 10V
功率 - 最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs