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NDF06N60ZG /N-Channel 600 V 1.2 Ohm 31 W Flange Mount Power MOSFET - TO-220FP
NDF06N60ZG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.1A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1107pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):35W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

封装形式Package:TO-220FP

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:600V

连续漏极电流ID:7.1A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NDF06N60ZG
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现代芯城(深圳)科技有限公司NDF06N60ZGwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NDF06N60ZG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司NDF06N60ZG华强广场C座18J0755-27381274
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司NDF06N60ZG航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司NDF06N60ZG深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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NDF06N60ZGON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R1+:¥7.79
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NDF06N60ZGON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP$0.46000
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NDF06N60ZG-001ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FPObsolete
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NDF06N60ZG-001ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP$0.53000
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
NDF06N60ZGON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R1+:¥7.79
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NDF06N60ZGON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.42
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