FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180mA（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.43nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：60pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 500mA，10V

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-92-3

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs