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NDDP010N25AZT4H /MOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)
NDDP010N25AZT4H的规格信息
NDDP010N25AZT4H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:320 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:6.5 S

下降时间:31 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:700

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:340 mg

供应商NDDP010N25AZT4H
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NDDP010N25AZT4HMOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO384.80 Kbytes共7页NDDP010N25AZT4H的PDF下载地址
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NDDP010N25AZT4H连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1mA 漏源导通电阻:420mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO383.36 Kbytes共6页NDDP010N25AZT4H的PDF下载地址
NDDP010N25AZT4H的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorMOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA$1.50000
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Mouser 贸泽电子
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorMOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9438
700:¥5.2545
1,400:¥4.1471
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NDDP010N25AZT4HON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1mA 漏源导通电阻:420mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道1+:¥4.3
10+:¥3.23
30+:¥3.04
100+:¥2.84
500+:¥2.75
1000+:¥2.71