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NCE4953 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道
NCE4953的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.1A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻55mΩ @ 5.1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

类型双P沟道

供应商NCE4953
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立创商城		NCE4953无锡新洁能连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道5+:￥0.555577
50+:￥0.436911
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10+:￥0.6992
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100+:￥0.54765
500+:￥0.52947
1000+:￥0.52056
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