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NCE40H20A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):285W(Tc) 类型:N沟道
NCE40H20A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)200A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.6mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)285W(Tc)

类型N沟道

供应商NCE40H20A
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