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NCE40H12K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
NCE40H12K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)

类型N沟道

供应商NCE40H12K
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现代芯城(深圳)科技有限公司NCE40H12Kwww.nowchip.com0755-27381274
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