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MUN5231DW1T1G /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
MUN5231DW1T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

配置:Dual

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:2.2 kOhms

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

直流集电极/Base Gain hfe Min:8

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:187 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MUN5231DW1

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:8 at 5 mA at 10 V

高度:0.9 mm

长度:2 mm

宽度:1.25 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:7.500 mg

供应商MUN5231DW1T1G
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MUN5231DW1T1GDual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO140.57 Kbytes共6页MUN5231DW1T1G的PDF下载地址
MUN5231DW1T1GDual Bias Resistor Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO139.52 Kbytes共21页MUN5231DW1T1G的PDF下载地址EMA6DXV5T1,MUN5111DW1T1_05,EMC2DXV5T1_05,EMD4DXV6T1,EMD5DXV6T1,EMF5XV6T5,EMG2DXV5T1,DTC114EXV3T1,MUN2111T1_06,DTA114EM3T5G
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MUN5231DW1T1GON SemiconductorSS SC88 BR XSTR NPN 50V - Tape and Reel18,000 : $0.0273
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MUN5231DW1T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品1+:¥0.211+:¥0.41
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MUN5231DW1T1GON SemiconductorN/A500 : $0.07
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